GE Aerospace

GE航空航天公司在碳化硅技术开发领域已领先近二十年。从芯片设计与元器件工程到完整的系统实施，GE在功率器件、先进封装和电力电子应用方面提供业界领先的性能。GE推出了业界首款工作温度范围为-55至200℃的MOSFET。