2SK1808-E
零件编号：
2SK1808-E
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Renesas Electronics Corporation
描述：
NCH POWER MOSFET 900V 4A 4000MOH
包装：
Tray
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Last Time Buy
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 10V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 150°C
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 3V @ 1mA
- 封装 / 外壳 TO-220-3 Full Pack
- 漏极至源极电压 (Vdss) 900 V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 4A (Ta)
- 最大栅源电压 ±30V
- 最大功耗 35W (Tc)
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 740 pF @ 10 V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 4Ohm @ 2A, 10V
- 供应商器件封装 TO-220FM