DMP22D6UFB4Q-7B
零件编号：
DMP22D6UFB4Q-7B
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Diodes Incorporated
描述：
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q101
- 场效应晶体管类型 P-Channel
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 600mA (Ta)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1V @ 250µA
- 漏极至源极电压 (Vdss) 20 V
- 最大栅源电压 ±8V
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 1.5V, 4.5V
- 供应商器件封装 X2-DFN1006-3
- 封装 / 外壳 3-XFDFN
- 最大功耗 460mW (Ta)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 500 pC @ 4.5 V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 24 pF @ 15 V