GANB8R0-040CBAZ
零件编号：
GANB8R0-040CBAZ
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Nexperia USA Inc.
描述：
GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -40°C ~ 125°C (TJ)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 14A (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.4V @ 1mA
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 5V
- 漏极至源极电压 (Vdss) 40 V
- 最大功耗 15W (Tc)
- 最大栅源电压 6V
- 封装 / 外壳 16-UFBGA, WLCSP
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 供应商器件封装 16-WLCSP (1.7x1.7)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 8mOhm @ 10A, 5V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10.1 nC @ 5 V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 566 pF @ 20 V