NTD78N03R-35G
零件编号：
NTD78N03R-35G
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
onsemi
描述：
POWER MOSFET 25V 78A 6 MOHM SING
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Discontinued at
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 -
- 认证 -
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 3V @ 250µA
- 供应商器件封装 IPAK
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V
- 漏极至源极电压 (Vdss) 25 V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 11.4A (Tc)
- 封装 / 外壳 TO-251-3 Stub Leads, IPAK
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 4.5V, 11.5V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 5.8mOhm @ 30A, 11.5V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1794 pF @ 12 V
- 最大功耗 1.4W (Ta), 76.9W (Tc)