NTH4LN041N60S5H
零件编号：
NTH4LN041N60S5H
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
onsemi
描述：
MOSFETPOWER, SINGLE, N-CHANNEL,
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Discontinued at
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 10V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 600 V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 110 nC @ 10 V
- 最大栅源电压 ±30V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 57A (Tc)
- 封装 / 外壳 TO-247-4
- 最大功耗 329W (Tc)
- 供应商器件封装 TO-247-4
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 41mOhm @ 28.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4.3V @ 6.7mA
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 6213 pF @ 400 V