NTMFS0D55N03CGT1G-01
零件编号：
NTMFS0D55N03CGT1G-01
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
onsemi
描述：
MOSFET N-CHANNEL 30V 35A (TA) 1.
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 10V
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 -
- 认证 -
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30 V
- 封装 / 外壳 8-PowerTDFN
- 供应商器件封装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.2V @ 330µA
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 0.58mOhm @ 30A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 224.9 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 18500 pF @ 15 V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 35A (Ta), 462A (Tc)
- 最大功耗 1.1W (Ta), 199W (Tc)