PMPB06R7VPX
零件编号：
PMPB06R7VPX
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Nexperia USA Inc.
描述：
PMPB06R7VP/SOT1220-4/DFN2020M
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 场效应晶体管类型 P-Channel
- 最大栅源电压 ±8V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 11A (Ta)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 12 V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 900mV @ 250µA
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 1.5V, 4.5V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 46 nC @ 4.5 V
- 封装 / 外壳 6-UDFN Exposed Pad
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2700 pF @ 6 V
- 供应商器件封装 DFN2020M-6
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 8.8mOhm @ 11A, 4.5V
- 最大功耗 3.7W (Ta), 18W (Tc)