PSMN0R9-30ULD/2X
零件编号：
PSMN0R9-30ULD/2X
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Nexperia USA Inc.
描述：
PSMN0R9-30ULD/SOT1023/4 LEADS
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 4.5V, 10V
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30 V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.2V @ 1mA
- 最大功耗 227W (Tc)
- 供应商器件封装 LFPAK56, Power-SO8
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 109 nC @ 10 V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 300A (Tc)
- 封装 / 外壳 SOT-1023, 4-LFPAK
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 0.87mOhm @ 25A, 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 7668 pF @ 15 V