WI71060TR
零件编号：
WI71060TR
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Wise-Integration
描述：
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 700 V
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 最大栅源电压 +6V, -4V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 30A (Tj)
- 封装 / 外壳 8-LDFN Exposed Pad
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1.5V @ 10mA
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 6V
- 供应商器件封装 8-PDFN (8x8)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 65mOhm @ 2A, 6V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 7 nC @ 6 V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 216 pF @ 400 V